三氯矽烷;
SiCl2;dihydridodichlorosilane;dichloro-silane;Silane,dichloro;dichloromonosilane;
外觀與性狀：
無色氣體
密度：
1,22 g/cm3
沸點：
8.3 °C(lit.)
熔點：
?122 °C(lit.)
閃點：
-37°C
水溶解性：
decomposes
穩(wěn)定性：
Stable. Extremely flammable; note very wide explosion limits. Reacts violently with water, alcohols, strong oxidizing agents, bases.
蒸汽密度：
3.5 (vs air)
蒸汽壓：
1254 mm Hg ( 20 °C)
RTECS號：
VV3050000
安全說明：
S26-S36/37/39-S45
危險類別碼：
R12; R14; R23; R34
WGK Germany：
1
危險品運輸編碼：
UN 2189 2.3
危險類別：
2.3
危險品標志：
F+; T
1.將硅粉和氯化氫按適當比例進行反應,生成二氯二氫硅,經(jīng)蒸餾分離三氯氫硅,把得到的二氯二氫硅進行精制,制得電子級高純二氯二氫硅成品。2.將27.1g SiHCl3與3.7g Bu3N在常壓下回流40h,即得到產(chǎn)品。產(chǎn)物用置于干冰浴上的接收器收集。產(chǎn)率可達到7.3%。3.將硅粉和氯化氫按適當比例進行反應,生成二氯二氫硅,經(jīng)蒸餾分離三氯氫硅,將得到的二氯二氫硅進行精制,制得電子級高純二氯二氫硅成品。其反應式如下:
1.用于制造半導體,尤其是在外延法工藝中作為硅源。二氯二氫硅主要用于多晶硅外延生長以及化學氣相沉積二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氫硅和四氯化硅高,二氯二氫硅沉積硅更有效,且淀積溫度比其他氯硅烷低。采用二氯二氫硅在降低溫度下沉積厚層所需時間大大低于采用硅烷所需時間。由于二氯二氫硅的沉積速率與采用其他氯硅烷相比對溫度敏感性小,因此可以采用調節(jié)氫氣流中二氯二氫硅濃度的方法來控制沉積速率,而且不會出現(xiàn)鼓泡所帶來的不準確性和機械問題。2.用于甲硅烷基化劑,及合成硅的有機化合物。
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