TSA主要用于在先進邏輯技術節(jié)點及3D NAND位元線主要氧化物填充,它使用流動式化學氣相沉積(FCVD)機臺來將硅電介質沉積到淺溝槽隔離技術(STI)中。由于3D NAND在存儲層中的堆疊層增長,從而增加存儲孔的高度,因此對TSA用量也持續(xù)增長。
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