三甲基硅烷((CH3)3SiH)近年來作為半導(dǎo)體領(lǐng)域中的層間絕緣膜、作為成膜原料,其用途逐漸擴(kuò)大。

高純?nèi)谆柰樵诎雽?dǎo)體行業(yè)中是用于沉積硅碳氮（sicn）和類碳化硅膜的前驅(qū)體，主要用于沉積低介電常數(shù)的銅擴(kuò)散阻擋層或刻蝕停止層。在集成電路的銅制備工藝中，銅原子或者銅離子容易在熱退火或電場條件下擴(kuò)散至低介電常數(shù)介電層中，成為主要污染源。為了防止銅擴(kuò)散并進(jìn)一步降低銅互連電介質(zhì)層的有效介電常數(shù)，需要在銅線上沉積低介電常數(shù)的硅碳氮擴(kuò)撒阻擋層將其密封，同時作為下一金屬層通孔刻蝕過程中的刻蝕阻擋層。硅碳氮薄膜一般利用三甲基硅烷作為硅源及碳源前驅(qū)體，氨氣作為氮源，通過pecvd工藝制得。