銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSb具有優(yōu)異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激光器。此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉化效率的熱光伏器件、迭層太陽能電池及微波器件等。通常從熔體中生長單晶的最常見方法是直拉法（CZ）。但是對于GaSb材料，單晶生長過程中Sb元素更易離解揮發(fā)，將導致熔體內Ga：Sb化學計量比失衡，從而產生位錯缺陷，甚至畸變?yōu)槎嗑?。因此在GaSb單晶生長過程中，經常采用在普通直拉法坩堝中的熔體表面覆蓋一層液態(tài)覆蓋劑的方法，用來封閉GaSb熔體，控制熔體中Sb元素的離解揮發(fā)，從而實現GaSb晶體的穩(wěn)定生長，這就是液封直拉法（LEC）。同時，根據GaSb在熔點附近的離解壓大小，在生長室內充入一定壓力的惰性氣體，加強對Sb元素離解揮發(fā)的抑制作用。采用LEC法制備GaSb單晶的優(yōu)點是設備結構相對簡單，可靠性更高；單晶爐設有觀察窗口，晶體的生長過程可實時觀測，晶體的生長參數可依據其生長狀態(tài)及時調整。但是采用LEC法制備GaSb單晶的過程中也存在較多問題，比如單晶爐內空間相對開放，爐體內熱對流相對復雜，晶體生長缺陷受拉制工藝影響較大，多晶料中Sb元素更易揮發(fā)等。

把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。

為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。如欲制成半導體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應是高純度的制品，必要時可進行區(qū)域熔融提純。