本品為加有HF且HF活度穩(wěn)定的性能改進(jìn)的緩沖劑，用于平面鈍化、制作晶體管、集成電路、二極管、檢波器、SCR、MOS、FET的半導(dǎo)體技術(shù)中選擇溶解SiO2。

獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)

·經(jīng)濟(jì)便宜，使用方便

·HF活度穩(wěn)定

·良好的工藝重復(fù)性

·不會出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物

·不擴(kuò)散硅表面著色

·硅表面不污染

·光刻膠涂層不受影響

說明

緩沖劑－HF是一個(gè)理想的緩沖劑配方，其特點(diǎn)是緩沖指數(shù)高和蝕刻速率均勻合適。緩沖劑－HF的組成可通過HF活度和PH的測量得到精密控制。質(zhì)量平衡對應(yīng)于兩配體單核絡(luò)合物的HF+(F)+2(HF2)，而變化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通過其特定平衡常數(shù)保持恒定不變，這便決定了氟化物、二氟化物和HF諸組分間的平衡反應(yīng)。而第二平衡常數(shù)參與氫離子濃度的濃度調(diào)節(jié)。

緩沖劑－HF制備并經(jīng)分析確定已基本完全去除了任何雜質(zhì)。硝酸根離子是引起擴(kuò)散硅表面著色的最常見的雜質(zhì)，在這種緩沖劑中已特別加以排除。能引起裝置質(zhì)量降低的重金屬雜質(zhì)在生產(chǎn)過程中得到了嚴(yán)格控制。

緩沖劑-HF的性質(zhì)

*蝕刻速率根據(jù)氧化硅膜結(jié)構(gòu)而改變

緩沖劑－HF的使用

緩沖劑－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷術(shù)中暴光的二氧化硅膜（熱生長和硅烷SiO2）。它還能溶解半導(dǎo)體加工過程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的摻雜二氧化硅膜，總化學(xué)反應(yīng)式為：4HF+SiO2 → SiF4+2H2O  建議在制作半導(dǎo)體平面和臺面型二極管裝置的新技術(shù)中使用緩沖劑－HF，操作安全無誤，它與陰，陽性光刻膠都相匹配。易于得到重現(xiàn)性良好的結(jié)果，不會出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物、表面著色和重金屬造成質(zhì)量降級等現(xiàn)象。

指導(dǎo)意見

大多數(shù)實(shí)際氧化物鈍化層厚度范圍是2000 ?到5000 ?，將其在室溫下于緩沖劑－HF液中浸泡2-5分鐘都會得到良好的結(jié)果，必要時(shí)接觸時(shí)間可適當(dāng)增減。操作完畢，應(yīng)當(dāng)用去離子水將緩沖劑-HF沖洗掉。緩沖劑-HF的緩沖指數(shù)高，因此在固定接觸時(shí)間條件下反復(fù)使用。為了增快蝕刻速率（約2X），可以在35℃的溫度使用緩沖劑-HF。