由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個可見光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識別，以及太陽能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 星爍納米應(yīng)用獨(dú)特專有技術(shù)合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好，熒光發(fā)射峰范圍廣，發(fā)光效率高，波長可調(diào)等諸多優(yōu)異特性。
InP is the best investigated III-V QDs. Regarding their bulk band gaps of 1.35 eV, InP QDs are considered as the most viable alternatives to Cd-based QDs for visible wavelength emissions. Due to their large exciton Bohr radius, high extinction co-efficiency, broad range of emissions that covering the whole visible range and extends to the near infrared, and containing no heavy metal elements, InP QDs have great potential to be used in flat panel display backlighting, QD-LED, lighting devices, biomedical markers, fingerprinting, and solar cell applications. Synthesized using our proprietary unique technology, our InP/ZnS QDs have uniform size distribution, high quantum yield, and high stability, can be used in optoelectronic devices, solar cells, biomarkers, and other fields.
技術(shù)參數(shù)
關(guān)鍵字： InP/ZnS量子點(diǎn) HMF_InP/ZnS QDs
蘇州星爍納米科技有限公司是一家中美合資企業(yè)，2012年成立于世界上最大的納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)綜合社區(qū)——蘇州納米城（www.nanopolis.cn），公司專注于熒光納米粒子（量子點(diǎn)）的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。我們?yōu)榭蛻籼峁┚媲缶牧孔狱c(diǎn)以及相關(guān)服務(wù)。
以美國分公司Mesolight Inc. (www.mesolight.com) 的多年研發(fā)成果為基礎(chǔ)，星爍納米擁有國際領(lǐng)先的量子點(diǎn)技術(shù)，其中包括：梯度合金量子點(diǎn)，無鎘環(huán)保量子點(diǎn)，上轉(zhuǎn)換量子點(diǎn)，量子點(diǎn)/高分子復(fù)合材料，量子點(diǎn)發(fā)光二極管，和閃爍量子點(diǎn)的制備，以及量子點(diǎn)在高清顯示器，光電子器件，太陽能電池，熒光生物成像，核輻射成像，防偽涂層等多項領(lǐng)域的應(yīng)用。
星爍納米研發(fā)的系列量子點(diǎn)具有發(fā)光效率高，制造成本